Moduł DDR4 XR-DIMM Apacer odporny na wstrząsy i wibracje
Przedstawiamy solidną i wytrzymałą pamięć operacyjną DDR4 XR-DIMM, która ze względu na swoje zaawansowane parametry znajduje zastosowanie w wielu gałęziach przemysłu, m. in. w rozwiązaniach transportowych. Pamięć ta, wyprodukowana przez firmę Apacer, dzięki wysokim właściwościom przeciwwstrząsowym i antywibracyjnym, potwierdzonym normami MIL-STD-810 i ANSI/VITA 47-2005, idealnie nadaje się również do wielu aplikacji wojskowych, np. w lotnictwie.
XR-DIMM posiada elastyczną w rozbudowie konstrukcję, która pozwala na optymalne wykorzystanie dostępnej przestrzeni. W pamięci tej wprowadzono innowacyjny łącznik typu „board to board” w celu precyzyjnego dopasowania jej do płyty głównej. Zastosowane trwałe 300-pinowe złącze oraz otwory montażowe ograniczają możliwość wypięcia modułu w przypadku zaistnienia wibracji czy uderzeń. Wpływają również na niezawodność transmisji sygnałów oraz, w porównaniu z tradycyjnymi pamięciami, są zdecydowanie łatwiejsze i mniej kosztowne w naprawie. Zajmują także mniej miejsca na płycie, bo mogą być wpinane pionowo – jedna na drugiej. W module zastosowano także technologie Conformal Coating i Anti-Sulfuration, które zapewniają stabilne działanie produktów, nie tylko w wilgotnym lub zapylonym środowisku przemysłowym, ale również w kontakcie z gazami zawierającymi siarkę. Moduł pamięci jest przystosowany do pracy w rozszerzonym zakresie temperatur od -40℃ do 85℃ i posiada wbudowany czujnik temperatury. Dysk XR-DIMM jest kompatybilny z DDR4 2133/2400, obsługuje funkcję ECC (Error Correction Code), która może wychwycić ewentualne błędy transmisji i jest dostępny w pojemnościach 8GB i 16GB. Taktowanie pamięci wynosi: 2133/2400 MHz. Dodatkową zaletą jest zmniejszony pobór energii przez pamięć (1,2V). Podsumowując, dzięki innowacyjnej konstrukcji przeciwdrganiowej i zaawansowanym technologiom, XR-DIMM firmy Apacer jest modułem pamięci, który jest nie tylko antywibracyjny, odporny na wysokie i niskie temperatury, ale także wytrzymały na wilgoć, pyły i działanie siarki.
Rugged Memory Comparison (porównanie pamięci)
| XR-DIMM | Pamięć wbudowana | |
| Właściwości przeciwstrząsowe i antywibracyjne |
tak | tak |
| Możliwość rozbudowy | tak | nie |
| Naprawa | łatwa | trudna |
| Koszty RMA | niskie | wyższe |
| Konstrukcja warstwowa | tak | nie |
| Wykorzystanie przestrzeni płyty głównej | elastyczne | nieelastyczne |
Więcej na temat modułów DDR4 SODIMM
Inne wpisy
Aktualna sytuacja na rynku pamięci NAND – istotne zmiany dla przemysłu i producentów urządzeń
Globalny rynek półprzewodników doświadcza obecnie znaczących turbulencji, które bezpośrednio wpływają na dostępność oraz ceny pamięci NAND Flash. Najwięksi producenci – Samsung, SK hynix, Kioxia oraz Micron – wprowadzili skoordynowane ograniczenia produkcji w drugiej połowie 2025 roku….
CSI S.A. na konferencji „Pojazdy autonomiczne – nowoczesne technologie dla bezpieczeństwa państwa”
W dniach 4–5 listopada 2025 roku zespół CSI S.A. weźmie udział w III konferencji naukowo-technicznej „Pojazdy autonomiczne – nowoczesne technologie dla bezpieczeństwa państwa” organizowanej przez Wojskowy Instytut Techniki Pancernej…
GENE-ARH6 – kompaktowa moc obliczeniowa dla przemysłu przyszłości
Nowoczesne aplikacje przemysłowe wymagają nie tylko niezawodności, ale też coraz większej wydajności obliczeniowej, szczególnie w obszarze sztucznej inteligencji i analizy danych na poziomie brzegowym. Odpowiedzią na te potrzeby jest najnowsza płyta GENE-ARH6 od AAEON, dostępna w…
