Cechy produktu:
- Technologia: Pamięć SDRAM
- Pojemność: 256Mb
- Organizacja: x32
- Szybkość transmisji danych: 166 MT/s
- Częstotliwość taktowania: 166Mhz
- Czas cyklu: 6ns
- Pakiet: TSOP 86 Pin
- Napięcie: 3,3 V
- RoHS: Tak
- Komponent ze zintegrowanym na chipie ECC (korekcja błędów)
- Temperatura: od -40 do 85°C
Komponenty ECC DRAM inteligentnej pamięci zbudowane ze zintegrowaną korekcją błędów ECC. Algorytm on die koryguje błędy pojedynczego bitu w locie, podnosząc aplikację do nowego poziomu niezawodności pamięci, który wcześniej był osiągalny tylko na serwerach.
Komponenty ECC DRAM inteligentnej pamięci są zamiennikami konwencjonalnych układów DRAM i nie wymagają zmian sprzętowych ani programowych do działania. Korekcja danych odbywa się w samym układzie bez zauważalnych opóźnień lub opóźnień i całkowicie niezależnie od procesora.
Klienci korzystający z pamięci IM ECC DRAM mogą promować swoją aplikację za pomocą plakietki IM ECC protected. ECC DRAM z zakresem temperatur pracy nawet do 125° C (X-Grade).
Kamil Ćwiertnia | Product Manager | 12 323 62 13 | 502 898 803 | |
Łukasz Zachara | Specjalista ds. Sprzedaży | 12 323 62 14 | 502 898 804 |