Cechy produktu:
- Technologia: LPDDR4
- Pojemność: 4 Gb
- Organizacja: x32
- Pakiet: FBGA 200 Ball
- Szybkość transmisji danych: 2400 MT/s
- Częstotliwość taktowania: 1200MHz
- Czas cyklu: 0.833ns
- Napięcie: 1,1 V
- RoHS: Tak
- Kompatybilny z: Micron MT53E128M32D2DS
- Temperatura: od 0 do 95°C
Komponenty ECC DRAM inteligentnej pamięci zbudowane ze zintegrowaną korekcją błędów ECC. Algorytm on die koryguje błędy pojedynczego bitu w locie, podnosząc aplikację do nowego poziomu niezawodności pamięci, który wcześniej był osiągalny tylko na serwerach. Komponenty ECC DRAM inteligentnej pamięci są zamiennikami konwencjonalnych układów DRAM i nie wymagają zmian sprzętowych ani programowych do działania. Korekcja danych odbywa się w samym układzie bez zauważalnych opóźnień lub opóźnień i całkowicie niezależnie od procesora.
Pamięci DRAM LPDDR4 i LPDDR4X ze zintegrowanymi funkcjami korekcji błędów ECC działają w przemysłowym zakresie temperatur.
Kamil Ćwiertnia | Product Manager | 12 323 62 13 | 502 898 803 | |
Łukasz Zachara | Specjalista ds. Sprzedaży | 12 323 62 14 | 502 898 804 |