Cechy produktu:
- Technologia: Pamięć SDRAM
 - Pojemność: 256Mb
 - Organizacja: x32
 - Szybkość transmisji danych: 133 MT/s
 - Częstotliwość taktowania: 133Mhz
 - Czas cyklu: 7.5ns
 - Pakiet: TSOP 86 Pin
 - Napięcie: 3,3 V
 - RoHS: Tak
 - Komponent ze zintegrowanym na chipie ECC (korekcja błędów)
 - Temperatura: od -40 do 105°C
 
Komponenty ECC DRAM inteligentnej pamięci zbudowane ze zintegrowaną korekcją błędów ECC. Algorytm on die koryguje błędy pojedynczego bitu w locie, podnosząc aplikację do nowego poziomu niezawodności pamięci, który wcześniej był osiągalny tylko na serwerach.
Komponenty ECC DRAM inteligentnej pamięci są zamiennikami konwencjonalnych układów DRAM i nie wymagają zmian sprzętowych ani programowych do działania. Korekcja danych odbywa się w samym układzie bez zauważalnych opóźnień lub opóźnień i całkowicie niezależnie od procesora.
Klienci korzystający z pamięci IM ECC DRAM mogą promować swoją aplikację za pomocą plakietki IM ECC protected. ECC DRAM z zakresem temperatur pracy nawet do 125° C (X-Grade).
| Kamil Ćwiertnia | Product Manager | 12 323 62 13 | 502 898 803 | |
| Łukasz Zachara | Starszy Specjalista ds. Sprzedaży | 12 323 62 14 | 502 898 804 |