Technologia SLC-LiteX/MLC-LiteX – pamięć NAND Flash

SLC

Pamięć NAND Flash przyjęła się na polskim rynku i wykorzystuje się ją w wielu przedsiębiorstwach oraz aplikacjach przemysłowych. Chcąc jeszcze bardziej sprostać oczekiwaniom stawianym z roku na rok w przemyśle, Apacer wdrożył pewne optymalizacje technologii NAND Flash. Celem jest zapewnienie klientom takiej ilości cykli P/E, która będzie odpowiadać ich potrzebom. Pierwotnie Apacer wprowadził do obrotu formę pamięci NAND Flash, znaną w przemyśle jako SLC-lite. Główną koncepcją SLC-lite jest sprawienie, aby pamięć 2D MLC działała jak SLC. MLC zawiera dwa bity, ale programując tylko jeden z nich (najmniej znaczący bit – LSB) rozkład komórek zachowuje się podobnie jak w pamięci Flash SLC. Wytrzymałość czy wydajność jest wówczas zwiększona, osiągając 20 000 cykli P/E.

Pamięć MLC 2D standardowo może osiągnąć 3000 cykli P/E

Wraz z rozwojem technologii 3D NAND Flash firma Apacer wdrożyła podobny proces do SLC-lite dla dysków 3D NAND. Dwie nowe formy tej technologii to SLC-liteX i MLC-liteX. Pamięć SLC-liteX jest oparta na technologii 3D NAND. Została zaprogramowana tak, aby zapewnić jak największą liczbę cykli P / E w tym formacie – 30 000. Jest to 10 razy więcej niż MLC lub przemysłowe TLC 3D.

Pamięci MLC-liteX są również oparte na technologii 3D NAND, oferując ponad trzykrotnie więcej cykli P / E (10 000) niż MLC lub przemysłowy 3D TLC. Dzięki temu optymalizacja kosztów i korzyści jest osiągana przy zwiększonej żywotności. Standardowy format 3D NAND TLC przechowuje trzy bity w jednej komórce. MLC-liteX programuje tylko dwa z trzech bitów, tak więc pojemność MLC-liteX jest zmniejszona tylko o jedną trzecią. Podobnie SLC-liteX programuje tylko jeden z trzech bitów zmniejszając tym samy pojemność o dwie trzecie. Kompromisem takiego rozwiązania jest zwiększona w obu przypadkach ilość cykli P/E.

Przykładowe produkty: dysk mSATA , dysk PCIe , dysk SSD SATA 2.5″

Inne wpisy

Aktualna sytuacja na rynku pamięci NAND – istotne zmiany dla przemysłu i producentów urządzeń

Globalny rynek półprzewodników doświadcza obecnie znaczących turbulencji, które bezpośrednio wpływają na dostępność oraz ceny pamięci NAND Flash. Najwięksi producenci – Samsung, SK hynix, Kioxia oraz Micron – wprowadzili skoordynowane ograniczenia produkcji w drugiej połowie 2025 roku….

Czytaj więcej

CSI S.A. na konferencji „Pojazdy autonomiczne – nowoczesne technologie dla bezpieczeństwa państwa”

W dniach 4–5 listopada 2025 roku zespół CSI S.A. weźmie udział w III konferencji naukowo-technicznej „Pojazdy autonomiczne – nowoczesne technologie dla bezpieczeństwa państwa”  organizowanej przez Wojskowy Instytut Techniki Pancernej…

Czytaj więcej

GENE-ARH6 – kompaktowa moc obliczeniowa dla przemysłu przyszłości

Nowoczesne aplikacje przemysłowe wymagają nie tylko niezawodności, ale też coraz większej wydajności obliczeniowej, szczególnie w obszarze sztucznej inteligencji i analizy danych na poziomie brzegowym. Odpowiedzią na te potrzeby jest najnowsza płyta GENE-ARH6 od AAEON, dostępna w…

Czytaj więcej